Порошок карбида кремния высокой чистоты

Служит основным материалом для монокристаллических подложек SiC толщиной 6–12 дюймов и эпитаксиальных слоев, используемых в производстве силовых устройств, таких как инверторы главного привода для транспортных средств на новых источниках энергии, радиочастотные компоненты базовых станций 5G и фотоэлектрические инверторы. Его широкая запрещенная зона повышает устойчивость устройства к высоким температурам и напряжениям, одновременно снижая потребление энергии более чем на 30%.

Используется для производства тиглей из SiC-керамики и износостойких-керамических компонентов. Благодаря своей высокой твердости и термической стабильности он подходит для таких применений, как обработка полупроводниковых пластин и изготовление высокотемпературных-конструкционных деталей аэрокосмической отрасли, продлевая срок службы более чем в 5 раз по сравнению с традиционной керамикой.

Служит сверхтвёрдым-абразивом для прецизионной полировки подложек из оптического стекла и сапфира; Используется в теплопроводящих покрытиях для модулей рассеивания тепла электронных устройств, обеспечивая в 2-3 раза более высокую теплопроводность, чем обычные покрытия.

Используется для модификации анодных материалов литий-ионных аккумуляторов и покрытия биполярных пластин топливных элементов, увеличения срока службы аккумулятора и повышения электро/теплопроводности. Подходит для-высокотехнологичного применения в транспортных средствах, работающих на новых источниках энергии, и электростанциях, аккумулирующих энергию.